IRFR9310TRLPBF
Vishay / Siliconix
主要参数包括技术 Si、单件重量 0.050717 oz。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET技术资料参考
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Vishay / Siliconix
主要参数包括技术 Si、单件重量 0.050717 oz。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETVishay Semiconductors
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压(Vds) 400 V、连续漏极电流(Id) 1.8 A,采用 DPAK-3 (TO-252-3) 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsVishay / Siliconix
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压(Vds) 400 V、连续漏极电流(Id) 1.8 A,采用 DPAK-3 (TO-252-3) 封装。
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