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原厂资料

2 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
IRLR120PBFVishay
  • IRFR120PBF
2024-05-16查看资料
SIHLR120-GE3Vishay
  • IRFR120PBF
2024-05-16查看资料

技术资料参考

芯片技术资料

3 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

IRFR120PBF

Vishay / Siliconix

主要参数包括技术 Si、高度 2.38 mm、长度 6.73 mm、宽度 6.22 mm、单件重量 0.050717 oz,采用 TO-252-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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IRFR120PBF

Vishay Semiconductors

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 100 V、连续漏极电流(Id) 7.7 A,采用 DPAK-3 (TO-252-3) 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs
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IRFR120PBF-BE3

Vishay / Siliconix

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 100 V、连续漏极电流(Id) 7.7 A,采用 DPAK-3 (TO-252-3) 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs
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