IRFR120PBF
Vishay / Siliconix
主要参数包括技术 Si、高度 2.38 mm、长度 6.73 mm、宽度 6.22 mm、单件重量 0.050717 oz,采用 TO-252-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET2 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| IRLR120PBF | Vishay |
| 2024-05-16 | 查看资料 |
| SIHLR120-GE3 | Vishay |
| 2024-05-16 | 查看资料 |
技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
Vishay / Siliconix
主要参数包括技术 Si、高度 2.38 mm、长度 6.73 mm、宽度 6.22 mm、单件重量 0.050717 oz,采用 TO-252-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETVishay Semiconductors
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 100 V、连续漏极电流(Id) 7.7 A,采用 DPAK-3 (TO-252-3) 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsVishay / Siliconix
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 100 V、连续漏极电流(Id) 7.7 A,采用 DPAK-3 (TO-252-3) 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs