IRFPC40PBFVishay Semiconductors主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 600 V、连续漏极电流(Id) 6.8 A、漏源导通电阻(Rds On) 1.2 Ω,采用 TO-247-3 封装。半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs查看技术资料