IRFP22N50APBF
Vishay / Siliconix
主要参数包括技术 Si、单件重量 1.340411 oz。
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技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
Vishay / Siliconix
主要参数包括技术 Si、单件重量 1.340411 oz。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETVishay Semiconductors
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 500 V、连续漏极电流（Id） 22 A、漏源导通电阻（Rds On） 230 mOhms，采用 TO-247-3 封装。
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