IRF840PBF
Vishay / Siliconix
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 500 V、连续漏极电流(Id) 8 A,采用 TO-220AB-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET7 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| IRF840BPBF | Vishay |
| 2024-05-02 | 查看资料 |
| IRF840HPBF | Vishay |
| 2024-05-02 | 查看资料 |
| SIHF8N50D-E3 | Vishay |
| 2024-05-02 | 查看资料 |
| SIHF8N50L-E3 | Vishay |
| 2024-05-02 | 查看资料 |
| SIHP8N50D-E3 | Vishay |
| 2024-05-02 | 查看资料 |
| SIHP8N50D-GE3 | Vishay |
| 2024-05-02 | 查看资料 |
| IRF840BPBF-BE3 | Vishay |
| 2024-05-02 | 查看资料 |