IRF620STRLPBFVishay Semiconductors主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 200 V、连续漏极电流(Id) 5.2 A、漏源导通电阻(Rds On) 800 mOhms,采用 D2PAK-3 (TO-263-3) 封装。半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs查看技术资料