IPA80R650CEXKSA2
Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、漏源击穿电压（Vds） 650 V、商品名称 CoolMOS、高度 16.15 mm、长度 10.65 mm、宽度 4.85 mm，采用 TO-220FP-3 封装。
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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
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