INA823DR
Texas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 36 V、电源电压（最小值） 2.7 V、每通道输出电流 20 mA、放大器类型 Monolithic Precision、3 dB 带宽 1.9 MHz，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > Amplifier ICs > Instrumentation Amplifiers搜索结果
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
查看技术资料
INA823DT
Texas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 36 V、电源电压（最小值） 2.7 V、每通道输出电流 20 mA、放大器类型 Monolithic Precision、3 dB 带宽 1.9 MHz，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > Amplifier ICs > Instrumentation Amplifiers