INA821IDR
Texas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 36 V、电源电压（最小值） 4.5 V、每通道输出电流 20 mA、放大器类型 Precision、增益带宽积（GBP） 4.7 MHz，采用 SOIC-8 封装。
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INA821IDRG4
Texas Instruments
主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、湿敏性 是。
半导体 > Amplifier ICs > Instrumentation AmplifiersINA821IDRGR
Texas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 36 V、电源电压（最小值） 4.5 V、每通道输出电流 20 mA、3 dB 带宽 4.7 MHz、压摆率（SR） 2 V/us，采用 SON-8 封装。
半导体 > Amplifier ICs > Instrumentation AmplifiersINA821IDRGT
Texas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 36 V、电源电压（最小值） 4.5 V、每通道输出电流 20 mA、3 dB 带宽 4.7 MHz、压摆率（SR） 2 V/us，采用 SON-8 封装。
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