INA818ID
Texas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 36 V、电源电压（最小值） 4.5 V、3 dB 带宽 2 MHz、压摆率（SR） 900 mV/us、共模抑制比（CMRR） 140 dB，采用 SOIC-8 封装。
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INA818IDR
Texas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 36 V、电源电压（最小值） 4.5 V、每通道输出电流 20 mA、压摆率（SR） 0.9 V/us、共模抑制比（CMRR） 140 dB，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Instrumentation AmplifiersINA818IDRG4
Texas Instruments
主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、湿敏性 是。
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