IMZA65R040M2HXKSA1
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 650 V、连续漏极电流（Id） 46 A、漏源导通电阻（Rds On） 49 mOhms，采用 TO-247-4 封装。
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