IKP10N60T
Infineon Technologies
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 600 V、集电极－发射极饱和电压 1.5 V、最大栅射电压 20 V、25°C 时连续集电极电流 24 A，采用 TO-220-3 封装。
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IKP10N60TXKSA1
Infineon Technologies
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 600 V、集电极－发射极饱和电压 1.5 V、最大栅射电压 20 V、25°C 时连续集电极电流 24 A，采用 TO-220-3 封装。
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