IKA15N60TXKSA1
Infineon Technologies
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 600 V、集电极-发射极饱和电压 1.5 V、最大栅射电压 20 V、25°C 时连续集电极电流 18.3 A,采用 TO-220FP-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT Transistors技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
Infineon Technologies
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 600 V、集电极-发射极饱和电压 1.5 V、最大栅射电压 20 V、25°C 时连续集电极电流 18.3 A,采用 TO-220FP-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT Transistors