IF1320ST3TR
InterFET
主要参数包括技术 Si、晶体管极性 N-Channel、配置 Single、漏源击穿电压（Vds） 10 V、栅源击穿电压（Vgs） - 20 V、栅源截止电压 - 1.5 V，采用 SOT-23-3 封装。
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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
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主要参数包括技术 Si、晶体管极性 N-Channel、配置 Single、漏源击穿电压（Vds） 10 V、栅源击穿电压（Vgs） - 20 V、栅源截止电压 - 1.5 V，采用 SOT-23-3 封装。
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