HUM2010
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括最大工作频率 0.5 GHz、类型 High Power Pin Diodes、反向电压（Vr） 1000 V、最大二极管电容 4 pF、最大最大正向电流下串联电阻 200 mOhms、正向电流（If） 500 mA。
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HUM2010
Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括最大工作频率 500 MHz、技术 Si、类型 High Power Pin Diodes、载流子寿命 30 us、配置 Single、正向电流（If） 500 mA。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > PIN DiodesHUM2010B
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括最大工作频率 0.5 GHz、类型 High Power Pin Diodes、反向电压（Vr） 1000 V、最大二极管电容 4 pF、最大最大正向电流下串联电阻 200 mOhms、正向电流（If） 500 mA。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > PIN DiodesHUM2010D
Microchip / Microsemi
该型号为二极管。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > PIN DiodesHUM2010D
Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > PIN DiodesHUM2010SM
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括最大工作频率 0.5 GHz、类型 High Power Pin Diodes、反向电压（Vr） 1000 V、最大二极管电容 4 pF、最大最大正向电流下串联电阻 200 mOhms、正向电流（If） 500 mA，采用 MELF 封装。
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