HUF75339P3
ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、类型 MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 55 V，采用 TO-220-3 封装。
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HUF75339P3
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主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 55 V、连续漏极电流（Id） 75 A，采用 TO-220-3 封装。
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