HT8KF6HTB1
ROHM Semiconductor
主要参数包括通道数 2 个通道、技术 Si、晶体管类型 2 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 150 V、连续漏极电流（Id） 7 A，采用 HSMT-8 封装。
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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
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主要参数包括通道数 2 个通道、技术 Si、晶体管类型 2 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 150 V、连续漏极电流（Id） 7 A，采用 HSMT-8 封装。
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