HS1ML
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifier、反向电压（Vr） 1 kV、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 30 A，采用 SMA 封装。
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芯片技术资料
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HS1ML R2G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括产品 Rectifiers、单件重量 0.000670 oz，采用 Sub-SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersHS1ML R3G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 1000 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 30 A，采用 Sub-SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersHS1ML RQG
Taiwan Semiconductor
主要参数包括产品 Rectifiers、单件重量 0.000670 oz，采用 Sub-SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersHS1ML RVG
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 1000 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 30 A，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersHS1MLHR2
Taiwan Semiconductor
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 1000 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V，采用 Sub SMA 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersHS1MLHR2G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 1000 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V，采用 Sub SMA 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersHS1MLHR3
Taiwan Semiconductor
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 1000 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V，采用 Sub SMA 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersHS1MLHR3G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 1000 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V，采用 Sub SMA 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersHS1MLHRQ
Taiwan Semiconductor
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 1000 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V，采用 Sub SMA 封装。
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