HMC998APM5E
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 10～15 V、工作频率 0.1～22 GHz、测试频率 18～22 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifier，采用 Die 封装。
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HMC998APM5E
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 10～15 V、工作频率 0 Hz to 22 GHz、测试频率 18～22 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers，采用 LFCSP-32 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierHMC998APM5ETR
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 10～15 V、工作频率 0.1～22 GHz、测试频率 18～22 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifier，采用 Die 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierHMC998APM5ETR
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 10～15 V、工作频率 100 MHz to 22 GHz、测试频率 18～22 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers，采用 LFCSP-32 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierHMC998APM5ETR-R5
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 10～15 V、工作频率 0.1～22 GHz、测试频率 18～22 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifier，采用 Die 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierHMC998APM5ETR-R5
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 10～15 V、工作频率 100 MHz to 22 GHz、测试频率 18～22 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers，采用 LFCSP-32 封装。
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