HMC997LC4
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 17~27 GHz、技术 GaAs、类型 Variable Gain Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) 24 dBm,采用 QFN-24 封装。
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Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 17~27 GHz、技术 GaAs、类型 Variable Gain Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) 24 dBm,采用 QFN-24 封装。
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主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 17~27 GHz、测试频率 17~21 GHz、技术 GaAs、类型 Variable Gain Amplifiers,采用 QFN-24 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierAnalog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 17~27 GHz、技术 GaAs、类型 Variable Gain Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) 24 dBm,采用 QFN-24 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierAnalog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 17~27 GHz、技术 GaAs、类型 Variable Gain Amplifiers、工作电源电流 170 mA,采用 QFN-24 封装。
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RF Amplifier Analog Variable Gain amp SMT 17-27 GHz
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