HMC908ALC5
Analog Devices / Hittite
主要参数包括工作电源电压 3 V, 5 V、射频频率 9～12 GHz、中频频率 0 Hz to 3.5 GHz、本振频率 8.5～15.5 GHz、技术 GaAs、产品 Down Converters，采用 LCC-32 封装。
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HMC908ALC5
Analog Devices
主要参数包括工作电源电压 3 V, 5 V、电源电压（最大值） 3 V, 5 V、电源电压（最小值） 3 V, 5 V、射频频率 9～12 GHz、中频频率 0 Hz to 3.5 GHz、本振频率 8.5～15.5 GHz，采用 CLCC-32 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > Up-Down ConvertersHMC908ALC5TR
Analog Devices / Hittite
主要参数包括工作电源电压 3 V, 5 V、射频频率 9～12 GHz、中频频率 0 Hz to 3.5 GHz、本振频率 8.5～15.5 GHz、技术 GaAs、产品 Down Converters，采用 LCC-32 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > Up-Down ConvertersHMC908ALC5TR
Analog Devices
主要参数包括工作电源电压 3 V, 5 V、电源电压（最大值） 3 V, 5 V、电源电压（最小值） 3 V, 5 V、射频频率 9～12 GHz、中频频率 0 Hz to 3.5 GHz、本振频率 8.5～15.5 GHz，采用 CLCC-32 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > Up-Down ConvertersHMC908ALC5TR-R5
Analog Devices / Hittite
主要参数包括电源电压（最大值） 3 V, 5 V、电源电压（最小值） 3 V, 5 V、技术 Si、原产国家或地区 美国。
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