HMC907A
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 10 V、工作频率 0.2～22 GHz、测试频率 16～22 GHz、技术 GaAs、类型 Linear Power Amplifier，采用 Die 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier搜索结果
原厂资料
4 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| HMC907 | Analog Devices |
| 2016-03-03 | 查看资料 |
| HMC907-SX | Analog Devices |
| 2016-03-03 | 查看资料 |
| HMC907LP5E | Analog Devices |
| 2016-03-03 | 查看资料 |
| HMC907LP5ETR | Analog Devices |
| 2016-03-03 | 查看资料 |
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
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HMC907A-SX
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 10 V、工作频率 0.2～22 GHz、测试频率 16～22 GHz、技术 GaAs、类型 Linear Power Amplifier，采用 Die 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierHMC907APM5E
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 10 V、工作频率 0.2～22 GHz、测试频率 18～22 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifier，采用 LFCSP-32 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierHMC907APM5ETR
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 8～11 V、工作频率 0.2～22 GHz、测试频率 18～22 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifier，采用 SMT-32 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier