技术资料参考
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Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5.5 V、工作频率 24 GHz to 29 GHz, 29 GHz to 29.5 GHz、技术 GaAs、类型 3-Stage Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 27 dBm，采用 SMT-24 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierAnalog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5.5 V、工作频率 24～29.5 GHz、测试频率 29～29.5 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers，采用 LGA-24 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierAnalog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5.5 V、工作频率 24 GHz to 29 GHz, 29 GHz to 29.5 GHz、技术 GaAs、类型 3-Stage Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 27 dBm，采用 SMT-24 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierAnalog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5.5 V、工作频率 24～29.5 GHz、技术 GaAs、工作电源电流 350 mA、增益 24 dB，采用 LGA-24 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierAnalog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 6 V、工作频率 22～26.5 GHz、技术 GaAs、类型 Linear & Power、1 dB 压缩点（P1dB） 24.5 dBm，采用 SMT-24 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierAnalog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 6 V、工作频率 22～26.5 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 350 mA，采用 LGA-24 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier