HMC8193LC4
Analog Devices
主要参数包括射频频率 2.5~8.5 GHz、本振频率 2.5~8.5 GHz、中频频率 DC to 3.5 GHz、技术 GaAs、转换损耗(最大值) 10 dB、最大工作温度 + 85 C,采用 LFCSP-24 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Mixer5 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| HMC620 | Analog Devices |
| 2016-03-03 | 查看资料 |
| HMC620-SX | Analog Devices |
| 2016-03-03 | 查看资料 |
| HMC620LC4 | Analog Devices |
| 2016-03-03 | 查看资料 |
| HMC620LC4TR | Analog Devices |
| 2016-03-03 | 查看资料 |
| HMC620LC4TR-R5 | Analog Devices |
| 2016-03-03 | 查看资料 |
技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
Analog Devices
主要参数包括射频频率 2.5~8.5 GHz、本振频率 2.5~8.5 GHz、中频频率 DC to 3.5 GHz、技术 GaAs、转换损耗(最大值) 10 dB、最大工作温度 + 85 C,采用 LFCSP-24 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF MixerAnalog Devices
采用 RF Amplifier 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF MixerAnalog Devices
RF Mixer Mixers
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Mixer