HMC8192
Analog Devices / Hittite
主要参数包括射频频率 20～42 GHz、本振频率 20～42 GHz、中频频率 0 Hz to 5 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 15.5 dB、噪声系数（NF） 16 dB，采用 Die 封装。
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HMC8192-SX
Analog Devices / Hittite
主要参数包括射频频率 20～42 GHz、本振频率 20～42 GHz、中频频率 0 Hz to 5 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 15.5 dB、噪声系数（NF） 16 dB，采用 Die 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF MixerHMC8192-SX
Analog Devices
主要参数包括射频频率 20～42 GHz、本振频率 20～42 GHz、中频频率 0 Hz to 5 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 15.5 dB、噪声系数（NF） 16 dB，采用 Die 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF MixerHMC8192LG
Analog Devices
主要参数包括射频频率 20～42 GHz、本振频率 20～42 GHz、中频频率 0 Hz to 5 GHz、技术 Si、转换损耗（最大值） - 8.5 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 LGA-25 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF MixerHMC8192LGTR
Analog Devices
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 韩国。
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