HMC814
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作频率 24.6 GHz、频率范围 13～24.6 GHz，采用 Die 封装。
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HMC814-SX
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作频率 13～24.6 GHz、技术 GaAs，采用 Die 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierHMC814-SX
Analog Devices
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作频率 13～24.6 GHz、最大输入频率 24.6 GHz、最小输入频率 13 GHz、技术 GaAs，采用 Die 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Wireless MiscHMC8142
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4 V、工作频率 81～86 GHz、技术 GaAs、类型 E-Band Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 25 dBm，采用 Chip 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierHMC814LC3B
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作频率 24.6 GHz、频率范围 13～24.6 GHz，采用 SMT-12 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierHMC814LC3B
Analog Devices
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作频率 24.6 GHz、技术 GaAs、类型 Multiplier、工作电源电流 88 mA，采用 SMT-12 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Wireless MiscHMC814LC3BTR
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作频率 24.6 GHz、频率范围 13～24.6 GHz，采用 SMT-12 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierHMC814LC3BTR
Analog Devices
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作频率 24.6 GHz、技术 GaAs、类型 Multiplier、工作电源电流 88 mA，采用 SMT-12 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Wireless MiscHMC814LC3BTR-R5
Analog Devices
RF Amplifier x2 Active mult SMT, 13 - 24.6 GHz Fout
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