HMC798ALC4
Analog Devices / Hittite
主要参数包括工作电源电压 5 V、射频频率 24～34 GHz、本振频率 12～18 GHz、中频频率 DC to 4 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 13.5 dB，采用 LCC-24 封装。
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HMC798ALC4
Analog Devices
主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、射频频率 24～34 GHz、本振频率 12～18 GHz、中频频率 0 Hz to 4 GHz，采用 LGA-24 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF MixerHMC798ALC4TR
Analog Devices / Hittite
主要参数包括工作电源电压 5 V、射频频率 24～34 GHz、本振频率 12～18 GHz、中频频率 DC to 4 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 13.5 dB，采用 LCC-24 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF MixerHMC798ALC4TR
Analog Devices
主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、射频频率 24～34 GHz、本振频率 12～18 GHz、中频频率 0 Hz to 4 GHz，采用 LGA-24 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF MixerHMC798ALC4TR-R5
Analog Devices / Hittite
主要参数包括工作电源电压 5 V、射频频率 24～34 GHz、本振频率 12～18 GHz、中频频率 DC to 4 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 13.5 dB，采用 LCC-24 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF MixerHMC798ALC4TR-R5
Analog Devices
主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、射频频率 24～34 GHz、本振频率 12～18 GHz、中频频率 0 Hz to 4 GHz，采用 LGA-24 封装。
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