HMC789ST89E
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 0.7～2.8 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 HBT Gain Block、1 dB 压缩点（P1dB） 23.5 dBm，采用 SOT-89-3 封装。
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原厂资料
5 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| HMC789ST89E | Analog Devices |
| 2024-08-09 | 查看资料 |
| 125682-HMC789ST89E | Analog Devices |
| 2024-08-09 | 查看资料 |
| 126222-HMC789ST89E | Analog Devices |
| 2024-08-09 | 查看资料 |
| 126223-HMC789ST89E | Analog Devices |
| 2024-08-09 | 查看资料 |
| HMC789ST89ETR | Analog Devices |
| 2024-08-09 | 查看资料 |
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
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HMC789ST89ETR
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 0.7～2.8 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 HBT Gain Block、1 dB 压缩点（P1dB） 23.5 dBm，采用 SOT-89-3 封装。
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