HMC774ALC3B
Analog Devices / Hittite
主要参数包括射频频率 7～20 GHz、本振频率 7～34 GHz、中频频率 DC to 8 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 15.5 dB、噪声系数（NF） 12 dB，采用 LCC-12 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Mixer搜索结果
原厂资料
3 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| HMC774LC3B | Analog Devices |
| 2016-03-03 | 查看资料 |
| HMC774LC3BTR | Analog Devices |
| 2016-03-03 | 查看资料 |
| HMC774LC3BTR-R5 | Analog Devices |
| 2016-03-03 | 查看资料 |
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
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HMC774ALC3B
Analog Devices
主要参数包括射频频率 7～20 GHz、本振频率 7～34 GHz、中频频率 0 Hz to 8 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 15.5 dB、噪声系数（NF） 12 dB，采用 LCC-12 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF MixerHMC774ALC3BTR
Analog Devices / Hittite
主要参数包括射频频率 7～20 GHz、本振频率 7～34 GHz、中频频率 DC to 8 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 15.5 dB、噪声系数（NF） 12 dB，采用 LCC-12 封装。
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Analog Devices
主要参数包括射频频率 7～20 GHz、本振频率 7～34 GHz、中频频率 0 Hz to 8 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 15.5 dB、噪声系数（NF） 12 dB，采用 LCC-12 封装。
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