HMC773ALC3B
Analog Devices / Hittite
主要参数包括射频频率 6～26 GHz、本振频率 6～26 GHz、中频频率 DC to 10 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 12 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 LCC-12 封装。
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原厂资料
8 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| HMC144LC4 | Analog Devices |
| 2016-03-03 | 查看资料 |
| HMC144LC4TR | Analog Devices |
| 2016-03-03 | 查看资料 |
| HMC144LC4TR-R5 | Analog Devices |
| 2016-03-03 | 查看资料 |
| HMC144LH5 | Analog Devices |
| 2016-03-03 | 查看资料 |
| HMC144LH5TR | Analog Devices |
| 2016-03-03 | 查看资料 |
| HMC773LC3B | Analog Devices |
| 2016-03-03 | 查看资料 |
| HMC773LC3BTR | Analog Devices |
| 2016-03-03 | 查看资料 |
| HMC773LC3BTR-R5 | Analog Devices |
| 2016-03-03 | 查看资料 |
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
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HMC773ALC3B
Analog Devices
主要参数包括射频频率 6～26 GHz、本振频率 6～26 GHz、中频频率 0 Hz to 10 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 12 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 LCC-12 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF MixerHMC773ALC3BTR
Analog Devices / Hittite
主要参数包括射频频率 6～26 GHz、本振频率 6～26 GHz、中频频率 DC to 10 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 12 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 LCC-12 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF MixerHMC773ALC3BTR
Analog Devices
主要参数包括射频频率 6～26 GHz、本振频率 6～26 GHz、中频频率 0 Hz to 10 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 12 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 LCC-12 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF MixerHMC773ALC3BTR-R5
Analog Devices / Hittite
RF Mixer Fundamental Mixer SMT, 6 - 26 GHz
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF MixerHMC773ALC3BTR-R5
Analog Devices
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 美国，采用 LCC-12 封装。
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