HMC7441
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 6 V、工作频率 27.5~31 GHz、技术 GaAs、类型 3-Stage Power Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) 34 dBm,采用 Die 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 6 V、工作频率 27.5~31 GHz、技术 GaAs、类型 3-Stage Power Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) 34 dBm,采用 Die 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierAnalog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 6 V、工作频率 27.5~31 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) 34 dBm,采用 Die 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierAnalog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 6 V、工作频率 27.5~31 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 1 A,采用 Die 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier