HMC694LP4ETR
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 6～17 GHz、技术 GaAs、类型 Analog Variable Gain Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 21 dBm，采用 QFN-24 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier搜索结果
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
查看技术资料
HMC694LP4ETR
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 6～17 GHz、技术 GaAs、类型 Variable Gain Amplifiers、工作电源电流 175 mA，采用 QFN-24 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier