HMC694
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 6~17 GHz、技术 GaAs、类型 MMIC Variable Gain Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) 22 dBm,采用 Die 封装。
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Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 6~17 GHz、技术 GaAs、类型 MMIC Variable Gain Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) 22 dBm,采用 Die 封装。
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RF Amplifier VGA 7-20 GHz
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主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 6~17 GHz、技术 GaAs、类型 Analog Variable Gain Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) 21 dBm,采用 QFN-24 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierAnalog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 6~17 GHz、测试频率 6~10 GHz、技术 GaAs、类型 Variable Gain Amplifiers,采用 QFN-24 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierAnalog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 6~17 GHz、技术 GaAs、类型 Analog Variable Gain Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) 21 dBm,采用 QFN-24 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierAnalog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 6~17 GHz、技术 GaAs、类型 Variable Gain Amplifiers、工作电源电流 175 mA,采用 QFN-24 封装。
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