HMC685LP4E
Analog Devices / Hittite
主要参数包括工作电源电压 5 V、射频频率 1.7~2.2 GHz、技术 硅、转换损耗(最大值) 10 dB、噪声系数(NF) 8 dB、最大工作温度 + 85 C,采用 QFN-24 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Mixer4 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| HMC208AMS8 | Analog Devices |
| 2016-03-03 | 查看资料 |
| HMC208AMS8E | Analog Devices |
| 2016-03-03 | 查看资料 |
| HMC208AMS8ETR | Analog Devices |
| 2016-03-03 | 查看资料 |
| HMC208AMS8TR | Analog Devices |
| 2016-03-03 | 查看资料 |
技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
Analog Devices / Hittite
主要参数包括工作电源电压 5 V、射频频率 1.7~2.2 GHz、技术 硅、转换损耗(最大值) 10 dB、噪声系数(NF) 8 dB、最大工作温度 + 85 C,采用 QFN-24 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF MixerAnalog Devices
RF Mixer BiCMOS Mix w/Int LO amp, 1.7 - 2.2 GHz
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Mixer