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HMC666LP4E

Analog Devices / Hittite

主要参数包括工作电源电压 5 V、射频频率 3.1~3.9 GHz、技术 硅、转换损耗(最大值) 12 dB、噪声系数(NF) 9 dB、最大工作温度 + 85 C,采用 QFN-24 封装。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Mixer
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HMC666LP4ETR

Analog Devices

RF Mixer BiCMOS Mix w/ Int LO amp, 3.1 - 3.9 GHz

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