HMC659LC5
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 8 V、工作频率 15 GHz、频率范围 DC to 15 GHz、技术 GaAs、类型 RF Amplifier，采用 QFN-32 封装。
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HMC659LC5
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 8 V、工作频率 0 Hz to 15 GHz、测试频率 0 Hz to 6 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers，采用 LFCSP-32 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierHMC659LC5TR
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 8 V、工作频率 DC to 15 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 26.5 dBm，采用 QFN-EP-32 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierHMC659LC5TR
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 8 V、工作频率 0 Hz to 15 GHz、测试频率 0 Hz to 6 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers，采用 LFCSP-32 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierHMC659LC5TR-R5
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道，采用 Logarithmic Detector 封装。
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