HMC637ALP5E
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 12 V、工作频率 DC to 6 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 29 dBm，采用 QFN-32 封装。
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HMC637ALP5E
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 12 V、工作频率 100 MHz to 6 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 400 mA，采用 QFN-32 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierHMC637ALP5ETR
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道，采用 QFN-32 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierHMC637ALP5ETR
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 12 V、工作频率 100 MHz to 6 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 400 mA，采用 QFN-32 封装。
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