HMC606LC5TR
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 2~18 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Ultra-Low Phase Noise、1 dB 压缩点(P1dB) 15 dBm,采用 Die 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier技术资料参考
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Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 2~18 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Ultra-Low Phase Noise、1 dB 压缩点(P1dB) 15 dBm,采用 Die 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierAnalog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 2~18 GHz、测试频率 2~12 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Low Noise Amplifiers,采用 CLCC-32 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierAnalog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道。
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