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5 条型号记录

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HMC578LC3B

Analog Devices / Hittite

主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、工作频率 33 GHz、频率范围 23~33 GHz,采用 SMT-12 封装。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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HMC578LC3B

Analog Devices

主要参数包括电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、工作频率 33 GHz、技术 GaAs、类型 Multiplier、工作电源电流 81 mA,采用 QFN-12 封装。

半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Wireless Misc
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HMC578LC3BTR

Analog Devices / Hittite

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、工作频率 23~33 GHz、技术 GaAs,采用 QFN-EP-16 封装。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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HMC578LC3BTR

Analog Devices

主要参数包括电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、工作频率 23~33 GHz、最大输入频率 33 GHz、最小输入频率 23 GHz、技术 GaAs,采用 QFN-12 封装。

半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Wireless Misc
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HMC578LC3BTR-R5

Analog Devices

采用 RF Amplifier 封装。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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