HMC576LC3BTR
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、工作频率 18~29 GHz、技术 GaAs,采用 VFQFN-12 封装。
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Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、工作频率 18~29 GHz、技术 GaAs,采用 VFQFN-12 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierAnalog Devices
主要参数包括电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、工作频率 18~29 GHz、最大输入频率 29 GHz、最小输入频率 18 GHz、技术 GaAs,采用 QFN-12 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Wireless MiscAnalog Devices
RF Amplifier x2 Active mult SMT, 18 - 29 GHz Fout
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