HMC564
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V、工作频率 13.5 GHz、频率范围 7～13.5 GHz、技术 GaAs、类型 RF Amplifier。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier搜索结果
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
查看技术资料
HMC564-SX
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道，采用 Die 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierHMC564-SX
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers、原产国家或地区 美国，采用 Die 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierHMC564LC4
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作频率 14 GHz、频率范围 18～29 GHz、技术 GaAs，采用 Die 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierHMC564LC4
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V、工作频率 7～14 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers、工作电源电流 82 mA，采用 LGA-24 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierHMC564LC4TR
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作频率 14 GHz、频率范围 7～14 GHz、技术 GaAs，采用 QFN-24 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierHMC564LC4TR
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V、工作频率 7～14 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers、工作电源电流 82 mA，采用 LGA-24 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierHMC564LC4TR-R5
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierHMC564LC4TR-R5
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、类型 Low Noise Amplifiers、原产国家或地区 美国，采用 LGA-24 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier