技术资料参考
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Analog Devices / Hittite
主要参数包括射频频率 22 GHz to 29 GHz, 29 GHz to 38 GHz、本振频率 22 GHz to 29 GHz, 29 GHz to 38 GHz、中频频率 DC to 18 GHz、技术 硅、转换损耗（最大值） 15 dB、噪声系数（NF） 10.5 dB, 11.5 dB，采用 CE-6-3 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF MixerAnalog Devices
主要参数包括射频频率 22～38 GHz、本振频率 22～38 GHz、中频频率 0 Hz to 18 GHz、技术 Si、转换损耗（最大值） 15 dB、噪声系数（NF） 10.5 dB, 11.5 dB。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF MixerAnalog Devices / Hittite
主要参数包括射频频率 22 GHz to 29 GHz, 29 GHz to 38 GHz、本振频率 22 GHz to 29 GHz, 29 GHz to 38 GHz、中频频率 DC to 18 GHz、技术 硅、转换损耗（最大值） 15 dB、噪声系数（NF） 10.5 dB, 11.5 dB，采用 CE-6-3 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF MixerAnalog Devices
主要参数包括射频频率 22～38 GHz、本振频率 22～38 GHz、中频频率 0 Hz to 18 GHz、技术 Si、转换损耗（最大值） 15 dB、噪声系数（NF） 10.5 dB, 11.5 dB。
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