HMC557ALC4
Analog Devices / Hittite
主要参数包括射频频率 2.5～7 GHz、本振频率 5～7 GHz、中频频率 DC to 3 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 10.5 dB、噪声系数（NF） 8.5 dB，采用 LCC-24 封装。
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HMC557ALC4
Analog Devices
主要参数包括射频频率 2.5～7 GHz、本振频率 5～7 GHz、中频频率 0 Hz to 3 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 10.5 dB、噪声系数（NF） 8.5 dB，采用 LGA-24 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF MixerHMC557ALC4TR
Analog Devices / Hittite
主要参数包括射频频率 2.5～7 GHz、本振频率 5～7 GHz、中频频率 DC to 3 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 10.5 dB、噪声系数（NF） 8.5 dB，采用 LCC-24 封装。
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Analog Devices
主要参数包括射频频率 2.5～7 GHz、本振频率 5～7 GHz、中频频率 0 Hz to 3 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 10.5 dB、噪声系数（NF） 8.5 dB，采用 LGA-24 封装。
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Analog Devices / Hittite
主要参数包括射频频率 2.5～7 GHz、本振频率 5～7 GHz、中频频率 DC to 3 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 10.5 dB、噪声系数（NF） 8.5 dB，采用 LCC-24 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF MixerHMC557ALC4TR-R5
Analog Devices
主要参数包括射频频率 2.5～7 GHz、本振频率 5～7 GHz、中频频率 0 Hz to 3 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 10.5 dB、噪声系数（NF） 8.5 dB，采用 LGA-24 封装。
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