HMC536MS8GE
Analog Devices / Hittite
该型号为集成电路，主要参数包括工作频率 DC to 6 GHz、技术 GaAs、开关数 Dual、开关配置 SPDT、插入损耗 0.7 dB、关断隔离度（典型值） 32 dB，采用 MS8G 封装。
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原厂资料
2 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| HMC536MS8G | Analog Devices |
| 2025-06-04 | 查看资料 |
| HMC536MS8GTR | Analog Devices |
| 2025-06-04 | 查看资料 |
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
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HMC536MS8GE
Analog Devices
该型号为集成电路，主要参数包括最小频率 0 Hz、最大频率 6 GHz、技术 GaAs、开关配置 SPDT、插入损耗 0.7 dB、关断隔离度（典型值） 32 dB，采用 MS8G-8 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Switch ICsHMC536MS8GETR
Analog Devices / Hittite
该型号为集成电路，主要参数包括工作频率 DC to 6 GHz、技术 GaAs、开关数 Dual、开关配置 SPDT、插入损耗 0.7 dB、关断隔离度（典型值） 32 dB，采用 MS8G 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Switch ICsHMC536MS8GETR
Analog Devices
该型号为集成电路，主要参数包括最小频率 0 Hz、最大频率 6 GHz、技术 GaAs、开关配置 SPDT、插入损耗 0.7 dB、关断隔离度（典型值） 32 dB，采用 MS8G-8 封装。
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