HMC520ALC4
Analog Devices / Hittite
主要参数包括射频频率 6～10 GHz、本振频率 6～10 GHz、中频频率 3.5 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 8 dB、噪声系数（NF） 9.5 dB，采用 QFN-24 封装。
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HMC520ALC4
Analog Devices
主要参数包括射频频率 6～10 GHz、本振频率 6～10 GHz、中频频率 0 Hz to 3.5 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 8 dB、噪声系数（NF） 9.5 dB，采用 LGA-24 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF MixerHMC520ALC4TR
Analog Devices / Hittite
主要参数包括湿敏性 是。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF MixerHMC520ALC4TR
Analog Devices
主要参数包括射频频率 6～10 GHz、本振频率 6～10 GHz、中频频率 0 Hz to 3.5 GHz、技术 GaAs、组装国家或地区 美国、晶圆制造国家或地区 FR，采用 LGA-24 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF MixerHMC520ALC4TR-R5
Analog Devices / Hittite
RF Mixer GaAs MMIC I/Q Mixer 6-10 GHz
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF MixerHMC520ALC4TR-R5
Analog Devices
主要参数包括射频频率 6～10 GHz、本振频率 6～10 GHz、中频频率 0 Hz to 3.5 GHz、技术 GaAs、原产国家或地区 美国，采用 LGA-24 封装。
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