HMC517LC4TR
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V、工作频率 17~26 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) 12 dBm,采用 QFN-EP-24 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V、工作频率 17~26 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) 12 dBm,采用 QFN-EP-24 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierAnalog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V、工作频率 17~26 GHz、测试频率 17~22 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers,采用 LGA-24 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierAnalog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道,采用 Details 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier