HMC480ST89E
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 8 V、工作频率 DC to 5 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 HBT Gain Block、1 dB 压缩点(P1dB) 20 dBm,采用 SOT-89-3 封装。
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Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 8 V、工作频率 DC to 5 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 HBT Gain Block、1 dB 压缩点(P1dB) 20 dBm,采用 SOT-89-3 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierAnalog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 8 V、工作频率 0 Hz to 5 GHz、测试频率 0 Hz to 1 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Gain Block Amplifiers,采用 SOT-89-3 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierAnalog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 8 V、工作频率 DC to 5 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 HBT Gain Block、1 dB 压缩点(P1dB) 20 dBm,采用 SOT-89-4 封装。
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