HMC463
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 20 GHz、频率范围 2～20 GHz、技术 GaAs、类型 RF Amplifier。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier搜索结果
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
查看技术资料
HMC463-SX
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 2～20 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 16 dBm，采用 Die 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierHMC463-SX
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 2～20 GHz、测试频率 6～18 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers，采用 Die 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierHMC463LH250
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 2～20 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise AGC Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 19 dBm，采用 LH250-12 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierHMC463LH250
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 2～20 GHz、测试频率 2～6 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers，采用 LH250-12 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierHMC463LH250TR
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierHMC463LP5
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 2～20 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise AGC Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 19 dBm，采用 QFN-32 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierHMC463LP5
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 2～20 GHz、测试频率 2～6 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers，采用 QFN-32 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierHMC463LP5E
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 20 GHz、频率范围 2～20 GHz、技术 GaAs、类型 RF Amplifier，采用 QFN-32 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierHMC463LP5E
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 2～20 GHz、测试频率 2～6 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers，采用 QFN-32 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier