HMC450QS16GE
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 0.8～1 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 26 dBm，采用 QSOP-16 封装。
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HMC450QS16GE
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 800 MHz to 1 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 310 mA，采用 QSOP-16 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierHMC450QS16GETR
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 0.8～1 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 26 dBm，采用 QSOP-16 封装。
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