HMC439QS16GE
Analog Devices / Hittite
主要参数包括工作电源电压 4.8 V, 5 V, 5.2 V、频率范围 10~1300 MHz、技术 SiGe、配置 Single、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C,采用 QSOP-16 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Detector技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
Analog Devices / Hittite
主要参数包括工作电源电压 4.8 V, 5 V, 5.2 V、频率范围 10~1300 MHz、技术 SiGe、配置 Single、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C,采用 QSOP-16 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF DetectorAnalog Devices
主要参数包括工作电源电压 4.8 V, 5 V, 5.2 V、频率范围 10 MHz to 1.3 GHz、技术 SiGe、类型 Digital Phase-Frequency Detector、动态范围(dB) 20 dB、配置 Single,采用 QSOP-16 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF DetectorAnalog Devices / Hittite
主要参数包括工作电源电压 5 V、频率范围 10~1300 MHz、配置 Single、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、耗散功率(Pd) 4.25 W,采用 QSOP-16 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF DetectorAnalog Devices
主要参数包括工作电源电压 4.8 V, 5 V, 5.2 V、频率范围 10 MHz to 1.3 GHz、技术 Si、类型 Digital Phase-Frequency Detector、动态范围(dB) 20 dB、配置 Single,采用 QSOP-16 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Detector